耗散功率：

     耗散功率是电源类的芯片（二极管、三极管等）或者系统试验研究的重要手段之一，关系到系统能否正常工作。 是在一定条件下测试出来的器件能够承受的最大功率，超过这个最大功率，器件就可能会遭受不可恢复的损坏。

   功率的耗散(消耗)即发热，如果此热量不能及时散发掉, 则将使集电结的结温Tj升高, 这就限制了输出功率的提高；最高温度Tjm（一般定为175 ℃）时所对应的耗散功率即为最大耗散功率Pcm。为了提高Po，就要求提高Pc, 但Pc的提高又受到结温的限制，为使结温不超过Tjm，就需要减小晶体管的热阻Rt；最大耗散功率Pcm ∝1/Rt。最高结温Tjm时所对应的最大耗散功率为(Pcms≥Pcm)：稳态时，Pcm=(Tjm–Ta)/Rt；瞬态时，Pcms=(Tjm–Ta)/Rts。

   最大输出功率要受到器件散热能力的限制： Pcm=(Tjm–Ta)/Rt，MOSFET的最高结温Tjm仍然定为175℃, 发热中心是在漏结附近的沟道表面处,则Rt主要是芯片的热阻(热阻需要采用计算传输线特征阻抗的方法来求出)。

稳压二极管耗散功率=稳压值X稳压管实际流入电流就是测 所加电流电压和管子的温度。

硅半导体,结温一般是150℃。

Power Dissipation是个估算值：测试的Rth是个稳态热阻
   △T/Rth=Pd 
   △T：△P引起的结温的变化量，  150℃ -25℃
   Pd：耗散功率    测试条件均为室温25℃

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